CSD87312Q3E datasheet
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>> CSD87312Q3E MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
CSD87312Q3E
库存数量:
可订货
制造商:
Texas Instruments
描述:
MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
CSD87312Q3E PDF下载
制造商
Texas Instruments
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
27 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
31 mOhms
配置
Dual
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-8
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
CSD87312Q3E
CSD87330Q3D
CSD87331Q3D
CSD87333Q3D
CSD87333Q3DT
CSD87334Q3D
供应商
公司名
电话
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市英科美电子有限公司
0755-23903058
张先生
深圳市欧和宁电子有限公司
0755-29275935
李先生
深圳市创芯弘科技有限公司
13410000176
(2014年前十佳IC供应商)
北京天阳诚业科贸有限公司
17862669251
洪先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104791
刘先生
深圳市佳鑫特电子有限公司
13410505652
陈
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
CICI
CSD87312Q3E 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
2,050
0.534
1094.7
2,500
0.534
1335
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