买卖IC网 >> 产品目录 >> CSD87312Q3E MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

CSD87312Q3E

库存数量:可订货
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
CSD87312Q3E PDF下载
制造商 Texas Instruments
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 27 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 31 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 VSON-8
封装 Reel
相关资料
供应商
公司名
电话
北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
深圳市欧和宁电子有限公司 0755-29275935 李先生
深圳市创芯弘科技有限公司 13410000176 (2014年前十佳IC供应商)
北京天阳诚业科贸有限公司 17862669251 洪先生
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104791 刘先生
深圳市佳鑫特电子有限公司 13410505652
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 CICI
  • CSD87312Q3E 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    2,050 0.534 1094.7
    2,500 0.534 1335